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論文

Structural changes induced by hellium ion irradiation in silicon carbide crystals

北條 喜一; 出井 数彦

Journal of Nuclear Materials, 133-134, p.709 - 713, 1985/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(85)90241-7
 被引用回数：19 パーセンタイル：87.99(Materials Science, Multidisciplinary)

SiCの多結晶にイオンを照射し、生成する照射欠陥を高分解能透過型電子顕微鏡で観察を行った。試料の薄膜化は機械研磨及びイオンビームシンニング装置で行った。この試料を加速電圧30KVでHeイオンを約1$$times$$10$$^{1}$$$$^{4}$$から1$$times$$10$$^{1}$$$$^{7}$$ions/cm$$^{2}$$で照射した。その結果、C軸方位から観察した場合、6角形の欠陥クラスターが観察された。さらに、同一実験条件において、$$<$$010$$>$$方向においてはC軸に直角に直線が発生するのが観察された。さらに、イオン照射量の増加とともに、非晶質の部分が形成されることが電顕像と電子線回折像から示された。

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